DE Phrasen mit bipolar FI Übersetzungen
Hetero-Bipolartransistor (hetero-bipolar transistors) hetero-bipolar transistors (heterobipolaaritransistori)
Hetero-Bipolartransistor (hetero-bipolar transistors) high density digital recording (suurtiheyksinen digitaalitallennus)
Hetero-Bipolartransistor (hetero-bipolar transistors) HDDR
Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), «quantum well devices» oder «super lattice devices»; Heterorakenteiset puolijohdekomponentit, kuten korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT), heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai superhilakomponentit;
Anmerkung: Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. Huom.: 3E003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi teknologiaa alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten.
Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices; Heterorakenteiset puolijohdekomponentit, kuten korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT), heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai superhilakomponentit;
Anmerkung:Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. Huom.:3E003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi teknologiaa alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten.
Anmerkung:Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. Huom.:3E003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi "teknologiaa" alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten.
Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z.B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices; Heterorakenteiset puolijohdekomponentit, kuten korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT), heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai superhilakomponentit;
Anmerkung:Nummer 3E003b erfasst nicht „Technologie“ für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. Huom.:3E003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi "teknologiaa" alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten.
IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) eristettyhilaiset bipolaaritransistorit (IGBT)
IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) Eristettyhilaiset bipolaaritransistorit (IGBT)
BJTs (Bipolar Junction Transistors) bipolaariset liitostransistorit (BJT)
BJTs (Bipolar Junction Transistors) Bipolaariset liitostransistorit (BJT)
Die einzelnen Diaphragmazellen werden in Reihe (bipolar) oder parallel (monopolar) geschaltet. Yksittäiset diafragmakennot on kytketty sähköisesti sarjaan (bipolaarinen) tai rinnakkain (monopolaarinen).
elektronische Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices; b. Heterorakenteiset elektroniset puolijohdekomponentit, kuten korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT), heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai superhilakomponentit;
Nummer 3E003b erfasst nicht “Technologie” für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”teknologiaa” alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten.

DE Wörter ähnlich wie bipolar

FI Wörter ähnlich wie bipolar