DE Phrasen mit trastorno bipolar ES Übersetzungen
Hetero-Bipolartransistor (hetero-bipolar transistors) Sistema de posicionamiento global por satélite (USA)
Hetero-Bipolartransistor (hetero-bipolar transistors) Transistores bipolares de heterounión
Hetero-Bipolartransistor (hetero-bipolar transistors) Registro digital de alta densidad
Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), «quantum well devices» oder «super lattice devices»; Dispositivos semiconductores de hetero-estructura tales como los transistores de alta movilidad de electrones («HEMT»), transistores bipolares de heterounión («HBT»), dispositivos de pozo cuántico o de super redes;
Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), «quantum well devices» oder «super lattice devices»; Dispositivos semiconductores de hetero-estructura tales como los transistores de alta movilidad de electrones ("HEMT"), transistores bipolares de heterounión ("HBT"), dispositivos de pozo cuántico o de super redes;
Anmerkung: Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. Nota: El subartículo 3E003.b.. no somete a control la tecnología para los transistores de alta movilidad de electrones («HEMT») que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz y los transistores bipolares de heterounión («HBT») que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz.
Anmerkung: Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. Nota: El subartículo 3E003.b. no somete a control la tecnología para los transistores de alta movilidad de electrones ("HEMT") que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz y los transistores bipolares de heterounión ("HBT") que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz.
Hetero-bipolar transistors (Hetero-Bipolartransistor) Registro digital de alta densidad
Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices; Dispositivos semiconductores de hetero-estructura tales como los transistores de alta movilidad de electrones («HEMT»), transistores bipolares de heterounión («HBT»), dispositivos de pozo cuántico o de super redes;
Anmerkung:Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. Nota:El subartículo 3E003.b. no somete a control la tecnología para los transistores de alta movilidad de electrones («HEMT») que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz y los transistores bipolares de heterounión («HBT») que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz.
Anmerkung:Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. Nota:El subartículo 3E003.b.. no somete a control la"tecnología"para los transistores de alta movilidad de electrones () que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz y los transistores bipolares de heterounión () que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz.
Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z.B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices; Dispositivos semiconductores de hetero-estructura tales como los transistores de alta movilidad de electrones («HEMT»), transistores bipolares de heterounión («HBT»), dispositivos de pozo cuántico o de super redes;
Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z.B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices; Dispositivos semiconductores de hetero-estructura tales como los transistores de alta movilidad de electrones (), transistores bipolares de heterounión (), dispositivos de pozo cuántico o de super redes;
Anmerkung:Nummer 3E003b erfasst nicht „Technologie“ für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. Nota:El subartículo 3E003.b. no somete a control la "tecnología" para los transistores de alta movilidad de electrones («HEMT») que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz y los transistores bipolares de heterounión («HBT») que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz.
IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) Transistores bipolares de puerta aislada ()
IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) Transistores bipolares de puerta aislada (IGBTs)
BJTs (Bipolar Junction Transistors) Transistores de unión bipolar (BJTs)
Die einzelnen Diaphragmazellen werden in Reihe (bipolar) oder parallel (monopolar) geschaltet. Las celdas de diafragma están conectadas eléctricamente en serie (bipolar) o en paralelo (monopolar).
elektronische Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices; b. Dispositivos electrónicos semiconductores de estructura heterogénea tales como los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT), los transistores bipolares de heterounión (HBT) y los dispositivos de pozo cuántico o de super redes.
Nummer 3E003b erfasst nicht “Technologie” für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. El subartículo 3E003.b no somete a control la "tecnología" para los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz ni los transistores bipolares de heterounión (HBT) que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz.

ES Wörter ähnlich wie trastorno bipolar